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參數(shù)資料
| 型號： | 28F640W30 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 中文描述： | 1.8伏英特爾無線閃存的3伏的I / O和SRAM（寬30） |
| 文件頁數(shù)： | 62/82頁 |
| 文件大?。?/td> | 749K |
| 代理商： | 28F640W30 |
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28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
56
Preliminary
13.3
SRAM Data Retention Operation
NOTES:
1. Typical values at nominal S-V
CC
, T
= +25
°
C.
2. S-CS
1
# > S-V
CC
–
0.2 V, S-CS
2
> S-V
CC
–
0.2 V (S-CS
1
# controlled) or S-CS
2
< 0.2 V (S-CS
2
controlled).
Figure 26. AC Waveform: SRAM Write Operation
Sym
Parameter
Device
Note
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
V
DR
S-V
CC
for Data Retention
4/8-
Mbit
1, 2
1.5
–
3.3
V
S-CS
1
#
≥
S-V
CC
–
0.2 V
I
DR
Data Retention Current
4-Mbit
1, 2
–
–
5
μA
S-VCC = 1.5 V
S-CS
1
#
≥
S-V
CC
–
0.2 V
8-Mbit
–
–
25
t
SDR
Data Retention Setup
Time
4/8-
Mbit
1
0
–
–
ns
See Data Retention
Waveform
t
RDR
Recovery Time
4/8-
Mbit
1
t
RC
–
–
ns
High Z
Data In
Address Stable
Device
Address Selection
Standby
ADDRESSES (A)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
CS
1
# (E
1
)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
IH
OE# (G)
WE# (W)
DATA (D/Q)
UB#, LB#
High Z
V
IH
V
IL
V
IH
W1
W8
CS
2
(E
2
)
V
IL
V
IH
W9
W6
W5
W2
W3
W4
W7
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