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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F400BX-TB |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 4兆位（256 × 16，為512k × 8）啟動(dòng)塊閃存系列 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 45/49頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 427K |
| 代理商： | 28F400BX-TB |
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E
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–WORD-WIDE
45
PRELIMINARY
APPENDIX A
ORDERING INFORMATION
T E 2 8 F 1 6 0 B 3 T 1 2 0
Package
TE = 48-Lead TSOP
GT = 48-Ball μBGA* CSP
Product line designator
for all Intel Flash products
Access Speed (ns)
(120, 150)
Product Family
B3 = Smart 3 Advanced Boot Block
V
CC
= 2.7V - 3.6V
V
PP
= 2.7V - 3.6V or 11.4V - 12.6V
Device Density
160 = x16 (16 Mbit)
800 = x16 (8 Mbit)
400 = x 16 (4 Mbit)
T =
Top Blocking
B =
Bottom Blocking
VALID COMBINATIONS
48-Lead TSOP
TE28F160B3T120
TE28F160B3B120
48-Ball
μ
BGA* CSP
GT28F160B3T120
GT28F160B3B120
Extended
16M
TE28F160B3T150
TE28F160B3B150
GT28F160B3T150
GT28F160B3B150
Extended
8M
TE28F800B3T120
TE28F800B3B120
GT28F800B3T120
GT28F800B3B120
TE28F800B3T150
TE28F800B3B150
GT28F800B3T150
GT28F800B3B150
Extended
4M
TE28F400B3T120
TE28F400B3B120
GT28F400B3T120
GT28F400B3B120
TE28F400B3T150
TE28F400B3B150
GT28F400B3T150
GT28F400B3B150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F410-100M1 | 4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F512 | 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY |
| 28F640C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F640J3C-120 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 28LV64A | 64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM(低壓,64K位, CMOS 并行EEPROM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F400BX-TL/BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 28F400CE-T/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Boot Block |
| 28F400CV-T/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4-MBIT (256K X 16. 512K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F410-100M1 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F457 | 制造商:General Electric Company 功能描述:Capacitor - 1.75uF 200acV % |
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