參數(shù)資料
型號(hào)： 28F400BX-TB
廠商： Intel Corp.
英文描述： 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
中文描述： 4兆位（256 × 16，為512k × 8）啟動(dòng)塊閃存系列
文件頁(yè)數(shù)： 42/49頁(yè)
文件大小： 427K
代理商： 28F400BX-TB
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–WORD-WIDE
E
42
PRELIMINARY
ADDRESSES [A]
CE#(WE#) [E(W)]
OE# [G]
WE#(CE#) [W(E)]
DATA [D/Q]
RP# [P]
IH
V
IL
V
V
IH
IL
V
V
IH
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IN
D
IN
A
IN
A
Valid
SRD
IN
D
IH
V
High Z
IH
V
IL
V
V [V]
PPH
V
V
PPLK
V
PPH
1
2
WP#
IL
V
IH
V
IN
D
A
B
C
D
E
F
W8
W6
W9
W3
W4
W7
W1
W5
W2
W10
W11
(Note 1)
(Note 1)
0580_16
NOTES:
1.
CE# must be toggled low when reading Status Register Data. WE# must be inactive (high) when reading Status Register
Data.
A.
B.
C.
D.
E.
F.
V
CC
Power-Up and Standby.
Write Program or Erase Setup Command.
Write Valid Address and Data (for Program) or Erase Confirm Command.
Automated Program or Erase Delay.
Read Status Register Data (SRD): reflects completed program/erase operation.
Write Read Array Command.
Figure 16. AC Waveform: Program and Erase Operations
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F410-100M1 4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY
28F512 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY
28F640C3 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器)
28F640J3C-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
28LV64A 64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM(低壓,64K位, CMOS 并行EEPROM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
28F400BX-TL/BL 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:
28F400CE-T/B 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Boot Block
28F400CV-T/B 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:4-MBIT (256K X 16. 512K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
28F410-100M1 制造商:MCNIX 制造商全稱(chēng):Macronix International 功能描述:4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY
28F457 制造商:General Electric Company 功能描述:Capacitor - 1.75uF 200acV %
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