參數(shù)資料
型號: 28F400BX-TB
廠商: Intel Corp.
英文描述: 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
中文描述: 4兆位(256 × 16,為512k × 8)啟動塊閃存系列
文件頁數(shù): 44/49頁
文件大?。?/td> 427K
代理商: 28F400BX-TB
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–WORD-WIDE
E
44
PRELIMINARY
Table 17. Erase and Program Timings
V
PP
= 2.7V
V
PP
= 12V
Sym
Parameter
Notes
Typ
1
Max
3
Typ
1
Max
3
Unit
t
BWPB
Block Program Time
(Parameter)
2
0.10
0.30
0.03
0.10
sec
t
BWMB
Block Program Time (Main)
2
0.80
2.40
0.24
0.80
sec
t
WHQV1
t
EHQV1
Program Time
2
22
200
8
185
μs
t
WHQV2
t
EHQV2
Block Erase Time (Parameter)
2
1
5.0
0.8
4.8
sec
t
WHQV3
t
EHQV3
Block Erase Time (Main)
2
1.8
8.0
1.1
7.0
sec
t
WHRH1
t
EHRH1
Program Suspend Latency
3
5
10
5
10
μs
t
WHRH2
t
EHRH2
Erase Suspend Latency
3
5
20
6
12
μs
NOTES:
1.
2.
3.
Typical values measured at T
A
= +25°C and nominal voltages.
Excludes external system-level overhead.
Sampled, but not 100% tested.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F410-100M1 4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY
28F512 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY
28F640C3 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導塊閃速存儲器)
28F640J3C-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
28LV64A 64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM(低壓,64K位, CMOS 并行EEPROM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
28F400BX-TL/BL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
28F400CE-T/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Boot Block
28F400CV-T/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4-MBIT (256K X 16. 512K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
28F410-100M1 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY
28F457 制造商:General Electric Company 功能描述:Capacitor - 1.75uF 200acV %