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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F400BX-TB |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 4兆位（256 × 16，為512k × 8）啟動(dòng)塊閃存系列 |
| 文件頁數(shù)： | 30/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 427K |
| 代理商： | 28F400BX-TB |
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SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–WORD-WIDE
E
30
PRELIMINARY
5.1
DC Characteristics: V
CCQ
= 2.7V
–3.6V
Table 10. DC Characteristics
Sym
Parameter
Notes
V
CC
= 2.7V
–3.6V
Unit
Test Conditions
Typ
Max
I
LI
Input Load Current
1
± 1.0
μA
V
CC
= V
CC
Max = V
CCQ
Max
V
IN
= V
CCQ
or GND
V
CC
= V
CC
Max = V
CCQ
Max
V
IN
= V
CCQ
or GND
I
LO
Output Leakage Current
1
± 10
μA
I
CCS
V
CC
Standby Current
1,7
20
50
μA
CMOS INPUTS
V
CC
= V
CC
Max = V
CCQ
Max
CE# = RP# = V
CCQ
CMOS INPUTS
V
CC
= V
CC
Max = V
CCQ
Max
V
IN
= V
CCQ
or GND
RP# = GND ± 0.2V
CMOS INPUTS
V
CC
= V
CC
Max = V
CCQ
Max
OE# = V
IH
, CE# =V
IL
f = 5 MHz,
I
OUT
= 0 mA
Inputs = V
IL
or V
IH
I
CCD
V
CC
Deep Power-Down
Current
1,7
1
10
μA
I
CCR
V
CC
Read Current
1,5,7
10
20
mA
I
CCW
V
CC
Program Current
1,4,7
8
20
mA
V
PP
= V
PPH1
(3V)
Program in Progress
8
20
mA
V
PP
= V
PPH2
(12V)
Program in Progress
I
CCE
V
CC
Erase Current
1,4,7
8
20
mA
V
PP
= V
PPH1
(3V)
Erase in Progress
8
20
mA
V
PP
= V
PPH2
(12V)
Erase in Progress
I
CCES
V
CC
Erase Suspend
Current
1,2,4,7
20
50
μA
CE# = V
Erase Suspend in Progress
I
CCWS
V
CC
Program Suspend
Current
1,2,4,7
20
50
μA
CE# = V
IH
Program Suspend in Progress
I
PPD
V
PP
Deep Power-Down
Current
1
0.2
5
μA
RP# = GND ± 0.2V
I
PPR
V
PP
Read Current
1
2
±50
μA
V
PP
≤
V
CC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F410-100M1 | 4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F512 | 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY |
| 28F640C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F640J3C-120 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 28LV64A | 64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM(低壓,64K位, CMOS 并行EEPROM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F400BX-TL/BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 28F400CE-T/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Boot Block |
| 28F400CV-T/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4-MBIT (256K X 16. 512K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F410-100M1 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F457 | 制造商:General Electric Company 功能描述:Capacitor - 1.75uF 200acV % |
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