參數(shù)資料
型號： 28F400BX-TB
廠商： Intel Corp.
英文描述： 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
中文描述： 4兆位（256 × 16，為512k × 8）啟動塊閃存系列
文件頁數(shù)： 43/49頁
文件大小： 427K
代理商： 28F400BX-TB
E
7.1
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–WORD-WIDE
43
PRELIMINARY
Reset Operations
IH
V
IL
V
RP# (P)
PLPH
t
IH
V
IL
V
RP# (P)
PLPH
t
(A) Reset during Read Mode
Abort
Complete
PLRH
PHQV
PHWL
PHEL
t
t
t
PHQV
PHWL
PHEL
t
t
t
(B) Reset during Program or Block Erase, <
PLPH
PLRH
t
t
IH
V
IL
V
RP# (P)
PLPH
t
Abort
Complete
PHQV
PHWL
PHEL
t
t
t
PLRH
t
Deep
Power-
Down
(C) Reset Program or Block Erase, >
PLRH
t
0580_17
Figure 17. AC Waveform: Deep Power-Down/Reset Operation
Reset Specifications
V
CC
= 2.7
–3.6V
Symbol
Parameter
Notes
Min
Max
Unit
t
PLPH
RP# Low to Reset during Read
(If RP# is tied to V
CC
, this specification is not
applicable)
1,3
100
ns
t
PLRH
NOTES:
1.
2.
3.
RP# Low to Reset during Block Erase or Program
2,3
22
μs
If t
PLPH
is < 100 ns the device may still RESET but this is not guaranteed.
If RP# is asserted while a block erase or
word program operation is not executing, the reset will complete within 100 ns.
Sampled, but not 100% tested.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F410-100M1 4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY
28F512 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY
28F640C3 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導塊閃速存儲器)
28F640J3C-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
28LV64A 64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM(低壓,64K位, CMOS 并行EEPROM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
28F400BX-TL/BL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
28F400CE-T/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Boot Block
28F400CV-T/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4-MBIT (256K X 16. 512K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
28F410-100M1 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY
28F457 制造商:General Electric Company 功能描述:Capacitor - 1.75uF 200acV %
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