- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371436 > 28F400BX-TB (Intel Corp.) 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 28F400BX-TB |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 4兆位（256 × 16，為512k × 8）啟動塊閃存系列 |
| 文件頁數(shù)： | 31/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 427K |
| 代理商： | 28F400BX-TB |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁當(dāng)前第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁
E
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–WORD-WIDE
31
PRELIMINARY
Table 10. DC Characteristics
(Continued)
Sym
Parameter
Notes
V
CC
= 2.7V
–3.6V
Unit
Test Conditions
Typ
Max
I
PPW
V
PP
Program Current
1,4
15
40
mA
V
PP
= V
PPH1
(3V)
Program in Progress
10
25
mA
V
PP
= V
PPH2
(12V)
Program in Progress
I
PPE
V
PP
Erase Current
1,4
13
25
mA
V
PP
= V
PPH1
(3V)
Erase in Progress
8
25
mA
V
PP
= V
PPH2
(12V)
Erase in Progress
I
PPES
V
PP
Erase Suspend
Current
1,4
50
200
μA
V
PP
= V
PPH1
or V
PPH2
Erase Suspend in Progress
I
PPWS
V
PP
Program Suspend
Current
1,4
50
200
μA
V
PP
= V
PPH1
or V
PPH2
Program Suspend in Progress
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F410-100M1 | 4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F512 | 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY |
| 28F640C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| 28F640J3C-120 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 28LV64A | 64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM(低壓,64K位, CMOS 并行EEPROM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F400BX-TL/BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 28F400CE-T/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Boot Block |
| 28F400CV-T/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4-MBIT (256K X 16. 512K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F410-100M1 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F457 | 制造商:General Electric Company 功能描述:Capacitor - 1.75uF 200acV % |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。