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參數(shù)資料
| 型號： | W972GG8JB-25 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 11 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 81/86頁 |
| 文件大?。?/td> | 1466K |
| 代理商： | W972GG8JB-25 |
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W972GG8JB
Publication Release Date: Feb. 18, 2011
- 82 -
Revision A02
10.28 Burst write with Auto-precharge (WR + tRP Limit): WL=4, WR=2, BL=4, tRP=3
≥ tRC
WL = RL - 1 = 4
≥ WR
tRP min.
NOP
Post CAS
WRA Bank A
Bank A
Activate
T0
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
Completion of the Burst Write
Auto-precharge Begins
A10 = 1
CLK/CLK
CMD
DQS,
DQS
T11
DQ's
DIN
A0
DIN
A1
DIN
A2
DIN
A3
10.29 Self Refresh Timing
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
Tm
Tn
Self
Refresh
NOP
Non-Read
Command
NOP
≥ tXSNR
≥ tXSRD
tIH
tIS
tIH
tIS
tRP
tIS
tAOFD
tCK
tCH
tCL
VIL(ac)
VIH(ac)
VIL(ac)
VIH(ac)
VIL(dc)
VIH(dc)
CLK
CMD
CKE
ODT
CLK
VIL(ac)
Read
Command
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WF512K32-150CJC | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CQCC68 |
| W73B586A-09L | 32K X 18 CACHE SRAM, 9 ns, PQCC52 |
| WS512K32-100G4TM | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CQFP68 |
| WS512K32-35G4M | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
| WS512K32-35G4Q | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W972GG8JB-25I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 80WBGA |
| W972GG8JB-3 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 2G-Bit 256Mx8 1.8V 60-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 3NS |
| W9751G6IB-25 | 功能描述:IC DDR2-800 SDRAM 512MB 84-WBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| W9751G6JB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M ? 4 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM |
| W9751G6JB-25 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512GB DDRII |
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