參數(shù)資料
型號： W972GG8JB-25
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60
封裝： 11 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60
文件頁數(shù)： 70/86頁
文件大?。?/td> 1466K
代理商： W972GG8JB-25
W972GG8JB
Publication Release Date: Feb. 18, 2011
- 72 -
Revision A02
10.9 Data input (write) timing
VIH(ac)
VIL(ac)
D
VIH(dc)
VIL(dc)
VIH(dc)
VIL(dc)
DMin
tDS
VIH(ac)
VIL(ac)
tWPRE
tDQSH
tDQSL
DQS
tWPST
tDS
tDH
DMin
DQS
DQ
DM
DQS
10.10 Burst write operation: RL=5 (AL=2, CL=3, WL=4, BL=4)
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
Tn
DIN
A0
DIN
A1
DIN
A2
DIN
A3
DIN
A0
DIN
A1
DIN
A2
DIN
A3
tDQSS
tDSS
Completion of
The Burst Write
NOP
Posted CAS
WRITE A
tDQSS
tDSH
tDQSS
≥ tWR
Precharge
CLK
CMD
DQS
DQs
Case 1: with tDQSS(max)
Case 2: with tDQSS(min)
WL = RL – 1= 4
tDSH
DQS
CLK
DQS
≥ tWR
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PDF描述
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