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參數(shù)資料
| 型號： | W972GG8JB-25 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 11 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 71/86頁 |
| 文件大?。?/td> | 1466K |
| 代理商： | W972GG8JB-25 |
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W972GG8JB
Publication Release Date: Feb. 18, 2011
- 73 -
Revision A02
10.11 Seamless burst read operation: RL = 5 ( AL = 2, and CL = 3, BL = 4)
T0
T1
T2
T5
T3
T6
T4
T7
T8
Post CAS
READ A
Post CAS
READ B
NOP
DOUT
A0
DOUT
A1
DOUT
A2
DOUT
A3
DOUT
B0
DOUT
B1
DOUT
B2
CLK
CMD
DQS
DQ's
AL = 2
CL = 3
RL = 5
Note:
The seamless burst read operation is supported by enabling a read command at every other clock for BL = 4 operation, and
every 4 clock for BL = 8 operation. This operation is allowed regardless of same or different banks as long as the banks are
activated.
10.12 Seamless burst write operation: RL = 5 ( WL = 4, BL = 4)
T0
T1
T2
T5
T3
T6
T4
T7
T8
Post CAS
Write A
Post CAS
Write B
NOP
DIN
A0
DIN
A1
DIN
A2
DIN
A3
DIN
B0
DIN
B1
DIN
B2
CLK
CMD
DQS
DQ's
DIN
B3
WL = RL - 1 = 4
Note:
The seamless burst write operation is supported by enabling a write command every other clock for BL = 4 operation, every four
clocks for BL = 8 operation. This operation is allowed regardless of same or different banks as long as the banks are activated.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| WS512K32-35G4M | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
| WS512K32-35G4Q | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W972GG8JB-25I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 80WBGA |
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| W9751G6JB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M ? 4 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM |
| W9751G6JB-25 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512GB DDRII |
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