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參數(shù)資料
| 型號： | W972GG8JB-25 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 11 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 72/86頁 |
| 文件大?。?/td> | 1466K |
| 代理商： | W972GG8JB-25 |
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Publication Release Date: Feb. 18, 2011
- 74 -
Revision A02
10.13 Burst read interrupt timing: RL =3 (CL=3, AL=0, BL=8)
NOP
READ A
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
CLK/CLK
CMD
DQS,
DQS
T8
NOP
Dout
A0
Dout
A1
Dout
A2
Dout
A3
Dout
B0
Dout
B1
Dout
B2
Dout
B3
Dout
B4
Dout
B5
Dout
B6
Dout
B7
READ B
NOP
DQ's
10.14 Burst write interrupt timing: RL=3 (CL=3, AL=0, WL=2, BL=8)
Write A
NOP
Write B
NOP
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
CLK/CLK
CMD
DQS,
DQS
T8
NOP
Din
A0
Din
A1
Din
A2
Din
A3
Din
B0
Din
B1
Din
B2
Din
B3
Din
B4
Din
B5
Din
B6
Din
B7
DQ's
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WF512K32-150CJC | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CQCC68 |
| W73B586A-09L | 32K X 18 CACHE SRAM, 9 ns, PQCC52 |
| WS512K32-100G4TM | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CQFP68 |
| WS512K32-35G4M | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
| WS512K32-35G4Q | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W972GG8JB-25I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 80WBGA |
| W972GG8JB-3 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 2G-Bit 256Mx8 1.8V 60-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 3NS |
| W9751G6IB-25 | 功能描述:IC DDR2-800 SDRAM 512MB 84-WBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| W9751G6JB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M ? 4 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM |
| W9751G6JB-25 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512GB DDRII |
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