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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S71WS512N80BFIZZ0 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的閃存和移動(dòng)存儲(chǔ)芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件頁數(shù)： | 95/142頁 |
| 文件大?。?/td> | 1996K |
| 代理商： | S71WS512N80BFIZZ0 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁當(dāng)前第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁
June 28, 2004 S71WS512NE0BFWZZ_00_A1
128Mb pSRAM
95
P r e l i m i n a r y
FUNCTION TRUTH TABLE
Asynchronous Operation (Page Mode)
Note:
L = V
IL
, H = V
IH
, X can be either V
IL
or V
IH
, High-Z = High Impedance
*1: Should not be kept this logic condition longer than 1ms.
Please contact local FUJITSU representative for the relaxation of 1ms limitation.
*2: Power Down mode can be entered from Standby state and all DQ pins are in High-Z state.
Data retention depends on the selection of Partial Size.
Refer to "Power Down" in FUNCTIONAL DESCRIPTION for the details.
*3: "L" for address pass through and "H" for address latch on the rising edge of ADV#.
*4: OE# can be V
IL
during Write operation if the following conditions are satisfied;
(1) Write pulse is initiated by CE#1 (refer to CE#1 Controlled Write timing), or
cycle time of the previous operation cycle is satisfied.
(2) OE# stays V
IL
during Write cycle.
*5: Can be either V
IL
or V
IH
but must be valid before Read or Write.
*6: Output is either Valid or High-Z depending on the level of UB# and LB# input.
Mode
Note
CE2pS2
CE#1pS
CLK
ADV#
WE#
OE#
LB#
UB#
A22-0
DQ0-7
DQ8-15
RDY
Standby
(Deselect)
H
H
X
X
X
X
X
X
X
High-Z
High-Z
High-Z
Output Disable
*1
H
L
X
*3
H
H
X
X
*5
High-Z
High-Z
High-Z
Output Disable
(No Read)
X
*3
H
L
H
H
Valid
High-Z
High-Z
High-Z
Read (Upper Byte)
X
*3
H
L
Valid
High-Z
Output
Valid
High-Z
Read (Lower Byte)
X
*3
L
H
Valid
Output
Valid
High-Z
High-Z
Read (Word)
X
*3
L
L
Valid
Output
Valid
Output
Valid
High-Z
Page Read
X
*3
L/H
L/H
Valid
*6
*6
High-Z
No Write
X
*3
L
*4
H
H
H
Valid
Invalid
Invalid
High-Z
Write (Upper Byte)
X
*3
H
L
Valid
Invalid
Input
Valid
High-Z
Write (Lower Byte)
X
*3
L
H
Valid
Input
Valid
Invalid
High-Z
Write (Word)
X
*3
L
L
Valid
Input
Valid
Input
Valid
High-Z
Power Down
*2
L
X
X
X
X
X
X
X
X
High-Z
High-Z
High-Z
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PDF描述 |
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