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參數(shù)資料
| 型號： | S71WS512N80BFIZZ0 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的閃存和移動存儲芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件頁數(shù)： | 88/142頁 |
| 文件大?。?/td> | 1996K |
| 代理商： | S71WS512N80BFIZZ0 |
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88
S29WSxxxN MirrorBit Flash Family For Multi-chip Products (MCP)
S71WS512NE0BFWZZ_00_ A1 June 28, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Notes:
1. PA = Program Address, PD = Program Data, VA = Valid Address for reading status bits.
2. “In progress” and “complete” refer to status of program operation.
3. A23–A14 for the WS256N are don’t care during command sequence unlock cycles.
4. Addresses are latched on the first of either the rising edge of AVD# or the active edge of CLK.
5. Either CE# or AVD# is required to go from low to high in between programming command sequences.
6. The Synchronous programming operation is dependent of the Set Device Read Mode bit in the Configuration
Register. The Configuration Register must be set to the Synchronous Read Mode.
Figure 22. Synchronous Program Operation Timings: CLK Latched Addresses
Note:
Use setup and hold times from conventional program operation.
Figure 23. Accelerated Unlock Bypass Programming Timing
OE#
CE#
Data
Addresses
AVD
WE#
CLK
VCC
555h
PD
tWC
tWPH
tWP
PA
tVC
tD
tC
PrIn
tWHWH1
VA
Complete
VA
Program Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
tDS
tAVDP
A0h
tAS
tCA
tAH
tAVCH
tCSW
tAVSC
CE#
AVD#
WE#
Addresses
Data
OE#
ACC
Don't Care
Don't Care
A0h
Don't Care
PA
PD
VID
1 ms
VIL or VIH
tVID
tVIDS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| S71WS512N80BFWZZ2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BFWZZ3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
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