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參數(shù)資料
| 型號： | S71WS512N80BFIZZ0 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的閃存和移動存儲芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件頁數(shù)： | 81/142頁 |
| 文件大小： | 1996K |
| 代理商： | S71WS512N80BFIZZ0 |
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June 28, 2004 S71WS512NE0BFWZZ_00_A1
S29WSxxxN MirrorBit Flash Family For Multi-chip Products (MCP)
81
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Timing Diagrams
Notes:
1. Figure shows total number of wait states set to five cycles. The total number of wait states can be
programmed from two cycles to seven cycles.
2. If any burst address occurs at “address + 1”, “address + 2”, or “address + 3”, additional clock delay cycles
are inserted, and are indicated by RDY.
3. The device is in synchronous mode.
Figure 13. CLK Synchronous Burst Mode Read (rising active CLK)
Da
Da + 1
Da + n
OE#
Data (n)
Addresses
Aa
AVD#
RDY (n)
CLK
CE#
tCES
tACS
tAVC
tAVD
tACH
tOE
tRACC
tOEZ
tCEZ
tIACC
tBDH
5 cycles for initial access shown.
18.5 ns typ. (54 MHz)
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
1
2
3
4
5
6
7
tRDYS
tBACC
Da + 3
Da + 2
Da
Da + 1
Da + n
Data (n + 1)
RDY (n + 1)
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Da + 2
Da + 2
Da
Da + 1
Da + n
Data (n + 2)
RDY (n + 2)
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Da + 1
Da + 1
Da
Da
Da + n
Data (n + 3)
RDY (n + 3)
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Da
Da
tCR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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