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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S71GL512NB0 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-chip Product (MCP) |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 132/147頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1655K |
| 代理商： | S71GL512NB0 |
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132
pSRAM Type 7
pSRAM_Type07_13_A0 May 4, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
AC Characteristics (Under Recommended Operating Conditions Unless
Otherwise Noted)
Read Operation
Notes:
1. Maximum value is applicable if CE#1 is kept at Low without change of address input of A3 to A21. If needed by system
operation, please contact local Spansion representative for the relaxation of 1μs limitation.
2. Address should not be changed within minimum t
RC
.
3. The output load 50pF.
4. The output load 5pF.
Parameter
Symbol
16M
32M
64M
Unit
Notes
Min.
Max.
Min.
Max.
Read Cycle Time
t
RC
70
1000
65
1000
65
1000
ns
1, 2
CE1# Access Time
t
CE
—
60
—
65
—
65
ns
3
OE# Access Time
t
OE
—
40
—
40
—
40
ns
3
Address Access Time
t
AA
—
60
—
65
—
65
ns
3, 5
LB# / UB# Access Time
t
BA
—
30
—
30
—
30
ns
3
Page Address Access Time
t
PAA
N/A
—
20
—
20
ns
3,6
Page Read Cycle Time
t
PRC
N/A
20
1000
20
1000
ns
1, 6, 7
Output Data Hold Time
t
OH
5
—
5
—
5
—
ns
3
CE1# Low to Output Low-Z
t
CLZ
5
—
5
—
5
—
ns
4
OE# Low to Output Low-Z
t
OLZ
0
—
0
—
0
—
ns
4
LB# / UB# Low to Output
Low-Z
t
BLZ
0
—
0
—
0
—
ns
4
CE1# High to Output High-Z
t
CHZ
—
20
—
20
—
20
ns
3
OE# High to Output High-Z
t
OHZ
—
20
—
15
—
20
ns
3
LB# / UB# High to Output
High-Z
t
BHZ
—
20
—
20
—
20
ns
3
Address Setup Time to CE1#
Low
t
ASC
-5
—
–5
—
–5
—
ns
Address Setup Time to OE#
Low
t
ASO
10
—
10
—
10
—
ns
Address Invalid Time
t
AX
—
10
—
10
—
10
ns
5, 8
Address Hold Time from CE1#
High
t
CHAH
-6
—
–6
—
–6
—
ns
9
Address Hold Time from OE#
High
t
OHAH
-6
—
–6
—
–6
—
ns
WE# High to OE# Low Time
for Read
t
WHOL
10
1000
12
—
12
—
ns
10
CE1# High Pulse Width
t
CP
10
—
12
—
12
—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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