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參數(shù)資料
| 型號： | S71GL512NB0 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-chip Product (MCP) |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP） |
| 文件頁數(shù)： | 101/147頁 |
| 文件大?。?/td> | 1655K |
| 代理商： | S71GL512NB0 |
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August 30, 2004 pSRAM_Type01_12_A1
pSRAM Type 1
101
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
DC Characteristics (16Mb pSRAM Page Mode)
Page Mode
Performance Grade
-60
-65
-70
Density
16Mb pSRAM
16Mb pSRAM
16Mb pSRAM
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Units
Min
Max
Units
Min
Max
Units
V
CC
Power Supply
2.7
3.3
V
2.7
3.3
V
2.7
3.3
V
V
IH
Input High
Level
0.8 Vccq
V
CC
+ 0.2
V
0.8 Vccq
V
CC
+ 0.2
V
0.8 Vccq
V
CC
+ 0.2
V
V
IL
Input Low
Level
-0.2
0.2 Vccq
V
-0.2
0.2 Vccq
V
-0.2
0.2 Vccq
V
I
IL
Input Leakage
Current
Vin = 0 to V
CC
1
μA
1
μA
1
μA
I
LO
Output
Leakage
Current
OE = V
or
Chip Disabled
1
μA
1
μA
1
μA
V
OH
Output High
Voltage
I
OH
= -1.0 mA
V
V
V
I
OH
= -0.2 mA
I
OH
= -0.5 mA
0.8 Vccq
0.8 Vccq
0.8 Vccq
V
OL
Output Low
Voltage
I
OL
= 2.0 mA
V
V
V
I
OL
= 0.2 mA
I
OL
= 0.5 mA
0.2 Vccq
0.2 Vccq
0.2 Vccq
I
ACTIVE
Operating
Current
V
CC
= 3.3 V
25
mA
25
mA
25
mA
I
STANDBY
Standby
Current
V
CC
= 3.0 V
μA
μA
μA
V
CC
= 3.3 V
100
100
100
I
DEEP
SLEEP
Deep Power
Down Current
10
μA
10
μA
10
μA
I
PAR 1/4
1/4 Array PAR
Current
65
μA
65
μA
65
μA
I
PAR 1/2
1/2 Array PAR
Current
80
μA
80
μA
80
μA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71GS256NC0BFWAK0 | 128N based MCPs |
| S71GS128NB0 | 128N based MCPs |
| S71GS128NB0BAWAK0 | 128N based MCPs |
| S71GS128NB0BAWAK2 | 128N based MCPs |
| S71GS128NB0BAWAK3 | 128N based MCPs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S71GL512NC0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-chip Product (MCP) |
| S71GL-N | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
| S71GL-N_08 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
| S71GLXXXNC0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-chip Product (MCP) |
| S71GS128NB0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:128N based MCPs |
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