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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NZ48F4L0QTZ |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | StrataFlash Wireless Memory |
| 中文描述： | 無線的StrataFlash存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/106頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1272K |
| 代理商： | NZ48F4L0QTZ |
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Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Datasheet
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Order Number: 251902, Revision: 009
April 2005
17
Note:
On lower density devices upper address balls can be treated as RFUs. (A24 is for 512-Mbit and A25 is for 1-Gbit
densities). All ball locations are populated.
Figure 6.
7x9 Active-Ball Matrix for 256-Mbit Density in VF BGA Package
RFU
VCC
A4
A6
A18
VPP
VSS
A8
A11
RFU
CLK
A3
A5
A17
RST#
A20
A9
A12
A25
ADV#
A2
A7
A19
WE#
A21
A10
A13
A24
A16
A1
A22
WP#
D12
WAIT
A14
A15
A23
D4
A0
CE#
D1
D2
D6
D15
VCCQ
RFU
D11
OE#
D0
D9
D10
D13
D14
VSS
RFU
VCC
VSSQ
D8
VCCQ
D3
D5
VSSQ
D7
Bottom View
- Ball Side Up
A
B
C
D
E
F
G
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
11
10
12
13
7
5
4
3
2
1
8
9
6
RFU
VCC
A4
A6
A18
VPP
VSS
A8
A11
RFU
CLK
A3
A5
A17
RST#
A20
A9
A12
A25
ADV#
A2
A7
A19
WE#
A21
A10
A13
A24
A16
A1
A22
WP#
D12
WAIT
A14
A15
A23
D4
A0
CE#
D1
D2
D6
D15
VCCQ
RFU
D11
OE#
D0
D9
D10
D13
D14
VSS
RFU
VCC
VSSQ
D8
VCCQ
D3
D5
VSSQ
D7
Top View
-
Ball Side Down
A
B
C
D
E
F
G
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
DU
11
10
12
13
7
5
4
3
2
1
8
9
6
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PDF描述 |
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| NZ9F11VST5G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| NZ9F11VT5G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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