參數(shù)資料
型號(hào): NZ48F4L0QTZ
廠商: Intel Corp.
英文描述: StrataFlash Wireless Memory
中文描述: 無(wú)線的StrataFlash存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù): 102/106頁(yè)
文件大小: 1272K
代理商: NZ48F4L0QTZ
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
April 2005
102
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Order Number: 251902, Revision: 009
Datasheet
Table 31.
Partition and Erase Block Region Information
Address
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
NZD560A NPN Low Saturation Transistor
NZF220DFT1G EMI Filter with ESD Protection
NZF220TT1 EMI Filter with ESD Protection(帶ESD保護(hù)功能的EMI濾波器)
NZL5V1AXV3T1 Zener Voltage Regulators (SC-89 Dual Common Anode Zeners for ESD Protection)
NZL5V6AXV3T1 Zener Voltage Regulators(齊納穩(wěn)壓管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NZ600N18K 制造商:n/a 功能描述:Power Module
NZ9F10VST5G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
NZ9F10VT5G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
NZ9F11VST5G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
NZ9F11VT5G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel