參數(shù)資料
型號： NAND04GA3C2AN6F
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
中文描述： 4Gbit的，2112字節(jié)的頁，3V供電，多級NAND閃存
文件頁數(shù)： 8/51頁
文件大小： 374K
代理商： NAND04GA3C2AN6F
1 Summary description
NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
8/51
Figure 1.
Logic Block Diagram
Address
Register/Counter
Command
Interface
Logic
P/E/R Controller
High Voltage
Generator
WP
R
Buffers
E
W
AI11009b
Y Decoder
Page Buffer
NAND Flash
Memory Array
X
Command Register
CL
AL
Cache Register
RB
Data Register
I/O
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND04GW3C2AN6E 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
NAND128R3A2AZA1 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND128W3A0AV6 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND256R3A0AZB6 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND128W4A0CZA6E 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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參數(shù)描述
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NAND04GR3B2EN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
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