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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND04GA3C2AN6F |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 4Gbit的，2112字節(jié)的頁，3V供電，多級(jí)NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 20/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 374K |
| 代理商： | NAND04GA3C2AN6F |
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6 Device operations
NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
20/51
Figure 6.
Random Data Output
6.4
Cache Read
The Cache Read operation is used to improve the read throughput by reading data using
the Cache Register. As soon as the user starts to read one page, the device automatically
loads the next page into the Cache Register.
An Cache Read operation consists of three steps (see
Table 8
):
1.
One bus cycle is required to setup the Cache Read command (the same as the
standard Read command).
2.
Five bus cycles are then required to input the Start Address (refer to
Table 6
).
3.
One bus cycle is required to issue the Cache Read confirm command to start the P/E/R
Controller.
The Start Address must be at the beginning of a page (Column Address = 000h, see
Table
7.
). This allows the data to be output uninterrupted after the latency time (t
BLBH1
), see
Figure 7.
I/O
RB
Address
Inputs
ai08658b
Data Output
Busy
tBLBH1
(Read Busy time)
000h
Cmd
Code
30h
Address
Inputs
Data Output
05h
E0h
5 Add cycles
Col Add 1,2
Main Area
Spare
Area
Row Add 1,2,3
Cmd
Code
Cmd
Code
Cmd
Code
2Add cycles
Col Add 1,2
Main Area
Spare
Area
R
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND04GW3C2AN6E | 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory |
| NAND128R3A2AZA1 | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND128W3A0AV6 | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND256R3A0AZB6 | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND128W4A0CZA6E | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND04GR3B2DDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND04GR3B2DN6E | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND04GR3B2DZL6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
| NAND04GR3B2EN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND04GR3B2EN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
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