參數(shù)資料
型號： NAND04GA3C2AN6F
廠商： 意法半導體
英文描述： 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
中文描述： 4Gbit的，2112字節(jié)的頁，3V供電，多級NAND閃存
文件頁數(shù)： 3/51頁
文件大?。?/td> 374K
代理商： NAND04GA3C2AN6F
NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
3/51
6.3
Page read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
6.4
Cache Read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
6.5
Page Program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
6.6
Sequential Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
6.7
Random Data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
6.8
Block Erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
6.9
Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
6.10
Read Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
6.10.1
Write Protection Bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
6.10.2
P/E/R Controller and Cache Ready/Busy Bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . 25
6.10.3
P/E/R Controller Bit (SR5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
6.10.4
Error Bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
6.10.5
SR4, SR3, SR2 and SR1 are Reserved . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
6.11
Read Electronic Signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
7
Data Protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
8
Embedded ECC accelerator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
9
Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
9.1
Bad block management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
9.2
Block replacement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
9.3
Garbage collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
9.4
Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
9.5
Hardware simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
9.5.1
Behavioral simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
9.5.2
IBIS simulations models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
10
Program and erase times and endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
11
Maximum rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
12
DC and AC parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
12.1
Ready/busy signal electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
13
Package mechanical . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
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NAND04GR3B2EN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
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