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參數(shù)資料
| 型號： | NAND04GA3C2AN6F |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 4Gbit的，2112字節(jié)的頁，3V供電，多級NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 34/51頁 |
| 文件大小： | 374K |
| 代理商： | NAND04GA3C2AN6F |
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11 Maximum rating
NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
34/51
11
Maximum rating
Stressing the device above the ratings listed in
Table 15: Absolute Maximum Ratings
, may
cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the Operating sections of
this specification is not implied. Exposure to Absolute Maximum Rating conditions for
extended periods may affect device reliability. Refer also to the STMicroelectronics SURE
Program and other relevant quality documents.
Absolute Maximum Ratings
Table 15.
Symbol
Parameter
Value
Unit
Min
Max
T
BIAS
Temperature Under Bias
– 50
125
°C
T
STG
Storage Temperature
– 65
150
°C
V
IO(1)
Input or Output Voltage
1.8V, V
DDQ
devices
– 0.6
2.7
V
3 V, V
DDQ
devices
– 0.6
4.6
V
V
DD
Supply Voltage
– 0.6
4.6
V
1.
Minimum Voltage may undershoot to –2V for less than 20ns during transitions on input and I/O pins. Maximum voltage may
overshoot to V
DD
+ 2V for less than 20ns during transitions on I/O pins.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND04GW3C2AN6E | 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory |
| NAND128R3A2AZA1 | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND128W3A0AV6 | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND256R3A0AZB6 | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND128W4A0CZA6E | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND04GR3B2DDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND04GR3B2DN6E | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND04GR3B2DZL6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
| NAND04GR3B2EN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND04GR3B2EN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
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