參數(shù)資料
型號： NAND04GA3C2AN6F
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
中文描述： 4Gbit的，2112字節(jié)的頁，3V供電，多級NAND閃存
文件頁數(shù)： 40/51頁
文件大小： 374K
代理商： NAND04GA3C2AN6F
12 DC and AC parameters
NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
40/51
Figure 15.
Data Input Latch AC Waveforms
1.
Last Data In is 2111b.
Figure 16.
Sequential Data Output after Read AC Waveforms
1.
CL = Low, AL = Low, W = High.
tWHCLH
(CL Hold time)
CL
E
AL
W
I/O
(ALSetup time)
tWLWL
tWLWH
tWHEH
(E Hold time)
tWLWH
tWLWH
Data In 0
Data In 1
Data In
Last
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
ai12707
(Data Setup time)
(Data Hold time)
E
ai08031
R
I/O
RB
(Read Cycle time)
tRLQV
(R Accesstime)
tRHRL
(R High Holdtime)
tRLQV
Data Out
Data Out
Data Out
tRHQZ
tBHRL
tRLQV
tRHQZ
tEHQZ
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PDF描述
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