參數(shù)資料
型號： NAND04GA3C2AN6F
廠商： 意法半導體
英文描述： 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
中文描述： 4Gbit的，2112字節(jié)的頁，3V供電，多級NAND閃存
文件頁數(shù)： 41/51頁
文件大小： 374K
代理商： NAND04GA3C2AN6F
NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
12 DC and AC parameters
41/51
Figure 17.
Read Status Register AC Waveform
Figure 18.
Read Electronic Signature AC Waveform
1.
Refer to
Table 10
for the values of the Manufacturer and Device Codes, and to
Table 11
and
Table 12
for the information
contained in Byte3 and Byte 4.
tELWH
tDVWH
Status Register
Output
70h
CL
E
W
R
I/O
tCLHWH
tWHDX
(Data Hold time)
tWLWH
tWHCLL
tCLLRL
tDZRL
tRLQV
tEHQZ
tRHQZ
tWHRL
tELQV
tWHEH
ai12708
(Data Setup time)
90h
00h
Man.
code
Device
code
CL
E
W
AL
R
I/O
Read Electronic
Signature
Command
1st Cycle
Address
ai08667b
(Read ES Access time)
tALLRL1
Byte4
Byte3
Byte1
Byte2
see Note.1
相關PDF資料
PDF描述
NAND04GW3C2AN6E 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
NAND128R3A2AZA1 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND128W3A0AV6 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND256R3A0AZB6 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND128W4A0CZA6E 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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NAND04GR3B2DZL6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
NAND04GR3B2EN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
NAND04GR3B2EN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
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