參數(shù)資料
型號(hào)： NAND04GA3C2AN6F
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
中文描述： 4Gbit的，2112字節(jié)的頁(yè)，3V供電，多級(jí)NAND閃存
文件頁(yè)數(shù)： 42/51頁(yè)
文件大?。?/td> 374K
代理商： NAND04GA3C2AN6F
12 DC and AC parameters
NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
42/51
Figure 19.
Page Read Operation AC Waveform
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
tWLWL
tWHBL
tALLRL2
00h
Data
N
Data
N+1
Data
N+2
Data
Last
tWHBH
tRLRL
tEHQZ
tRHQZ
Ai11018b
Busy
Command
Code
Address N Input
Data Output
from Address N to Last Byte or Word in Page
Add.N
cycle 2
Add.N
cycle 5
Add.N
cycle 4
Add.N
cycle 3
(Read Cycle time)
tRLRH
tBLBH1
30h
Add.N
cycle 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND04GW3C2AN6E 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
NAND128R3A2AZA1 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND128W3A0AV6 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND256R3A0AZB6 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND128W4A0CZA6E 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND04GR3B2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND04GR3B2DN6E 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND04GR3B2DZL6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
NAND04GR3B2EN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
NAND04GR3B2EN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
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