參數(shù)資料
型號： NAND04GA3C2AN6F
廠商： 意法半導體
英文描述： 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
中文描述： 4Gbit的，2112字節(jié)的頁，3V供電，多級NAND閃存
文件頁數(shù)： 36/51頁
文件大?。?/td> 374K
代理商： NAND04GA3C2AN6F
12 DC and AC parameters
NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
36/51
DC Characteristics, V
DDQ
3V Devices
(1)
Parameter
Table 18.
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
DD1
Operating
Current
Sequential
Read
t
RLRL
minimum
E=V
IL,
I
OUT
= 0 mA
-
10
20
mA
I
DD2
Program
-
-
20
30
mA
I
DD3
Erase
-
-
15
20
mA
I
DD4
Standby current (TTL)
E=V
IH
, WP=0/V
DD
1
mA
I
DD5
Standby Current (CMOS)
E=V
DD
-0.2,
WP=0/V
DD
-
10
50
μA
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= 0 to 3.6V
-
-
±10
μA
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= 0 to 3.6V
-
-
±10
μA
V
IH
Input High Voltage
-
2.0
-
V
DD
+0.3
V
V
IL
Input Low Voltage
-
-0.3
-
0.8
V
V
OH
Output High Voltage Level
I
OH
= -400μA
2.4
-
-
V
V
OL
Output Low Voltage Level
I
OL
= 2.1mA
-
-
0.4
V
I
OL
(RB)
Output Low Current (RB)
V
OL
= 0.4V
8
10
mA
1.
DC Characteristics for V
DDQ
1.8V devices are still to be determined.
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PDF描述
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