參數(shù)資料
型號： NAND04GA3C2AN6F
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
中文描述： 4Gbit的，2112字節(jié)的頁，3V供電，多級NAND閃存
文件頁數(shù)： 46/51頁
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代理商： NAND04GA3C2AN6F
12 DC and AC parameters
NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
46/51
12.1
Ready/busy signal electrical characteristics
Figure 25
,
Figure 26
and
Figure 27
show the electrical characteristics for the Ready/Busy
signal. The value required for the resistor R
P
can be calculated using the following equation:
So,
where I
L
is the sum of the input currents of all the devices tied to the Ready/Busy signal. R
P
max is determined by the maximum value of t
r
.
Figure 25.
Ready/Busy AC Waveform
Figure 26.
Ready/Busy Load Circuit
RPmin
VOLmax
–
(
------------------------------+
)
=
RPmin 1.8V
)
3mA
IL
-------------+
=
RPmin 3V
)
8mA
IL
-------------+
=
AI07564B
busy
VOH
ready VDD
VOL
tf
tr
AI07563B
RP
VDD
VSS
RB
Open Drain Output
DEVICE
ibusy
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PDF描述
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