參數(shù)資料
型號(hào)： MX29F8100
廠商： Macronix International Co., Ltd.
英文描述： 8M-BIT [1M x 8/512K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH MEMORY
中文描述： 800萬位[100萬x 8/512K × 16] CMOS單電壓閃存
文件頁數(shù)： 34/37頁
文件大?。?/td> 225K
代理商： MX29F8100
34
P/N: PM0262
REV. 2.0, JAN. 22, 1999
MX29F8100
LIMITS
TYP.
PARAMETER
MIN.
MAX.
(Note 1)
UNITS
Chip/Sector Erase Time
150
(Note 2)
ms
Page Programming Time
3
(Note 3)
ms
Chip Programming Time
24
75
sec
Erase/Program Cycles
10,000
Cycles
Byte Program Time
24
us
*Note 1: MAX values are all evaluated with polling the status in stead of internal state machine time out.
*Note 2: The IC internal state machine is set 2000 ms as maximum chip/sector erase time out.
*Note 3: We set 60 ms as production test condition, whereas, the IC internal state machine is set 150 ms as maximum programming
time out.
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE(Note 2)
MIN.
MAX.
Input Voltage with respect to GND on all pins except I/O pins
-1.0V
13.5V
Input Voltage with respect to GND on all I/O pins
-1.0V
Vcc + 1.0V
Current
-100mA
+100mA
Includes all pins except Vcc. Test conditions: Vcc = 5.0V, one pin at a time.
LATCHUP CHARACTERISTICS
INDEX
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MX29L1611G Replaced by OPA111 :
MX29L1611 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE PAGEMODE FLASH EEPROM
MX29L1611MC-90 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE PAGEMODE FLASH EEPROM
MX29L1611PC-90 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH EEPROM
MX29L1611GPC-10 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH EEPROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MX29F8100MC-10C3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
MX29F8100MC-10C4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
MX29F8100MC-12C3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
MX29F8100MC-12C4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
MX29F8100MC-15C3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
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