參數(shù)資料
型號: MX29F8100
廠商: Macronix International Co., Ltd.
英文描述: 8M-BIT [1M x 8/512K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH MEMORY
中文描述: 800萬位[100萬x 8/512K × 16] CMOS單電壓閃存
文件頁數(shù): 24/37頁
文件大?。?/td> 225K
代理商: MX29F8100
24
P/N: PM0262
REV. 2.0, JAN. 22, 1999
MX29F8100
Figure 6. BYTE TIMING WAVEFORMS
ADDRESSES
tACC
tCE
tDF
tOH
Data Output
tOE
ADDRESSES STABLE
DATA(DQ0-DQ7)
CE (1)
OE
BYTE
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
VOH
VOL
HIGH Z
HIGH Z
NOTE:
1.CE is defined as the latter of CE1 or CE2 going Low or the first of CE1 or CE2 going High.
Data Output
Data Output
HIGH Z
tBACC
HIGH Z
tBHZ
DATA(DQ8-DQ15)
INDEX
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MX29L1611G Replaced by OPA111 :
MX29L1611 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE PAGEMODE FLASH EEPROM
MX29L1611MC-90 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE PAGEMODE FLASH EEPROM
MX29L1611PC-90 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH EEPROM
MX29L1611GPC-10 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH EEPROM
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參數(shù)描述
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MX29F8100MC-12C4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
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