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參數(shù)資料
| 型號： | MX29F8100 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 8M-BIT [1M x 8/512K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 800萬位[100萬x 8/512K × 16] CMOS單電壓閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 15/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 225K |
| 代理商： | MX29F8100 |
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P/N: PM0262
REV. 2.0, JAN. 22, 1999
MX29F8100
LOW VCC WRITE INHIBIT
To avoid initiation of a write cycle during VCC power-up
and power-down, a write cycle is locked out for VCC less
than VLKO(= 3.2V , typically 3.5V). If VCC < VLKO, the
command register is disabled and all internal program/
erase circuits are disabled. Under this condition the
device will reset to the read mode. Subsequent writes will
be ignored until the VCC level is greater than VLKO. It is
the user's responsibility to ensure that the control pins are
logically correct to prevent unintentional write when VCC
is above VLKO.
WRITE PULSE "GLITCH" PROTECTION
Noise pulses of less than 10ns (typical) on CE or WE will
not initiate a write cycle.
LOGICAL INHIBIT
Writing is inhibited by holding any one of OE = VIL,CE =
VIH or WE = VIH. To initiate a write cycle CE and WE
must be a logical zero while OE is a logical one.
INDEX
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX29L1611G | Replaced by OPA111 : |
| MX29L1611 | 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE PAGEMODE FLASH EEPROM |
| MX29L1611MC-90 | 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE PAGEMODE FLASH EEPROM |
| MX29L1611PC-90 | 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH EEPROM |
| MX29L1611GPC-10 | 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH EEPROM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MX29F8100MC-10C3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| MX29F8100MC-10C4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| MX29F8100MC-12C3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| MX29F8100MC-12C4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| MX29F8100MC-15C3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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