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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MX29F8100 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 8M-BIT [1M x 8/512K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 800萬位[100萬x 8/512K × 16] CMOS單電壓閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 25/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 225K |
| 代理商： | MX29F8100 |
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25
P/N: PM0262
REV. 2.0, JAN. 22, 1999
MX29F8100
29F8100-12
MIN.
29F8100-15
MIN.
SYMBOL
DESCRIPTION
MAX.
MAX.
UNIT
tWC
Write Cycle Time
120
150
ns
tAS
Address Setup Time
0
0
ns
tAH
Address Hold Time
50
60
ns
tDS
Data Setup Time
50
60
ns
tDH
Data Hold Time
10
10
ns
tOES
Output Enable Setup Time
0
0
ns
tCES
CE Setup Time
0
0
ns
tGHWL
Read Recover TimeBefore Write
0
0
tCS
CE Setup Time
0
0
ns
tCH
CE Hold Time
0
0
ns
tWP
Write Pulse Width
50
60
ns
tWPH
Write Pulse Width High
50
50
ns
tBALC
Byte(Word) Address Load Cycle
0.3
30
0.3
30
us
tBAL
Byte(Word) Address Load Time
100
100
us
tSRA
Status Register Access Time
120
150
ns
tCESR
CE Setup before S.R. Read
100
100
ns
tWHRL
WE High to RY/BY Going Low
100
100
ns
tWHRLP
WE High to RY/BY Going Low
(in Page Program mode)
100.1
100.1
us
tPHWL
PWD High Recovery to WE Going Low
1
1
us
tVCS
VCC Setup Time
2
2
us
AC CHARACTERISTICS WRITE/ERASE/PROGRAM OPERATIONS
INDEX
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX29L1611G | Replaced by OPA111 : |
| MX29L1611 | 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE PAGEMODE FLASH EEPROM |
| MX29L1611MC-90 | 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE PAGEMODE FLASH EEPROM |
| MX29L1611PC-90 | 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH EEPROM |
| MX29L1611GPC-10 | 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MX29F8100MC-10C3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| MX29F8100MC-10C4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| MX29F8100MC-12C3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| MX29F8100MC-12C4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| MX29F8100MC-15C3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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