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參數(shù)資料
| 型號： | MX29F8100 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 8M-BIT [1M x 8/512K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 800萬位[100萬x 8/512K × 16] CMOS單電壓閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 32/37頁 |
| 文件大小： | 225K |
| 代理商： | MX29F8100 |
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32
P/N: PM0262
REV. 2.0, JAN. 22, 1999
MX29F8100
Figure 13. COMMAND WRITE TIMING WAVEFORMS(Alternate CE Controlled)
tAS
tOES
tDS
tAH
DIN
tDH
tWH
tGHWL
VALID
ADDRESSES
CE
OE
DATA
(D/Q)
HIGH Z
WE
VCC
PWD
tWS
tCPH
tCP
tWC
tVCS
tPHWL
NOTE:
1.BYTE pin is treated as Address pin. All timing specifications for BYTE pin are the same as those for address pin.
2.BYTE pin is sampled on the falling edge of WE or CE during the 3rd command write bus cycle; for real world application,
BYTE pin should be either static high(word mode) or static low(byte mode).
INDEX
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX29L1611G | Replaced by OPA111 : |
| MX29L1611 | 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE PAGEMODE FLASH EEPROM |
| MX29L1611MC-90 | 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE PAGEMODE FLASH EEPROM |
| MX29L1611PC-90 | 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH EEPROM |
| MX29L1611GPC-10 | 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MX29F8100MC-10C3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| MX29F8100MC-10C4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| MX29F8100MC-12C3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| MX29F8100MC-12C4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| MX29F8100MC-15C3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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