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參數(shù)資料
| 型號： | MX29F8100 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 8M-BIT [1M x 8/512K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 800萬位[100萬x 8/512K × 16] CMOS單電壓閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 22/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 225K |
| 代理商： | MX29F8100 |
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22
P/N: PM0262
REV. 2.0, JAN. 22, 1999
MX29F8100
29F8100-12
MIN.
29F8100-15
MIN.
SYMBOL
DESCRIPTIONS
MAX.
MAX.
UNIT
CONDITIONS
tACC
Address to Output Delay
120
150
ns
CE=OE=VIL
tCE
CE to Output Delay
120
150
ns
OE=VIL
tOE
OE to Output Delay
60
70
ns
CE=VIL
tDF
OE High to Output Delay
0
55
0
55
ns
CE=VIL
tOH
Address to Output hold
0
0
ns
CE=OE=VIL
tBACC
BYTE to Output Delay
120
150
ns
CE= OE=VIL
tBHZ
BYTE Low to Output in High Z
55
55
ns
CE=VIL
tDPR
Deep Power-Down Recovery
700
800
ns
DC CHARACTERISTICS
= 0
°
C to 70
°
C, VCC = 5V
±
10%(CONTINUE P.21)
NOTES:
1. All currents are in RMS unless otherwise noted. Typical values at VCC = 5.0V, T = 25
°
C. These currents are valid for all product
versions (package and speeds).
2. ICC3 is specified with the device de-selected. If the device is read while in erase suspend mode, current draw is the sum of ICC3
and ICC1/2.
3. VIL min. = -1.0V for pulse width < 50ns.
VIL min. = -2.0V for pulse width < 20ns.
4. VIH max. = VCC + 1.5V for pulse width < 20ns. If VIH is over the specified maximum value, read operation cannot be guaranteed.
AC CHARACTERISTICS
READ OPERATIONS
TEST CONDITIONS:
Input pulse levels: 0.45V/2.4V
Input rise and fall times: 10ns
Output load: 1TTL gate+100pF(Including scope and jig)
Reference levels for measuring timing: 0.8V, 2.0V
NOTE:
1. tDF is defined as the time at which the output achieves the
open circuit condition and data is no longer driven.
INDEX
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX29L1611G | Replaced by OPA111 : |
| MX29L1611 | 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE PAGEMODE FLASH EEPROM |
| MX29L1611MC-90 | 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE PAGEMODE FLASH EEPROM |
| MX29L1611PC-90 | 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH EEPROM |
| MX29L1611GPC-10 | 16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MX29F8100MC-10C3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| MX29F8100MC-10C4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| MX29F8100MC-12C3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| MX29F8100MC-12C4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| MX29F8100MC-15C3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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