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參數資料
| 型號： | MT18HVF6472PY-53EXX |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, DMA240 |
| 封裝： | LEAD FREE, DIMM-240 |
| 文件頁數： | 38/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 1012K |
| 代理商： | MT18HVF6472PY-53EXX |
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PDF: 09005aef81c753e1/ Source: 09005aef81c753af
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
HVF18C64_128_256x72G_2.fm - Rev. A 8/05 EN
43
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
512MB, 1GB, 2GB: (x72, SR) 240-Pin DDR2 VLP RDIMM
Serial Presence-Detect
Figure 15:
SPD EEPROM Timing Diagram
Table 23:
EEPROM Device Select Code
The most significant bit (b7) is sent first
Select Code
Device Type Identifier
Chip Enable
RW
b7
b6
b5
b4
b3
b2
b1
b0
Memory Area Select Code (two arrays)
1
0
1
0
SA2
SA1
SA0
RW
Protection Register Select Code
0
1
0
SA2
SA1
SA0
RW
Table 24:
EEPROM Operating Modes
Mode
RW Bit
WC
Bytes
Initial Sequence
Current Address Read
1VIH or VIL
1
START, Device Select, RW = ‘1’
Random Address Read
0VIH or VIL
1
START, Device Select, RW = ‘0’, Address
1VIH or VIL
1
reSTART, Device Select, RW = ‘1’
Sequential Read
1VIH or VIL
≥ 1
Similar to Current or Random Address Read
Byte Write
0VIL
1
START, Device Select, RW = ‘0’
Page Write
0VIL
≤ 16
START, Device Select, RW = ‘0’
SCL
SDA IN
SDA OUT
tLOW
tSU:STA
tHD:STA
tF
tHIGH
tR
tBUF
tDH
tAA
tSU:STO
tSU:DAT
tHD:DAT
UNDEFINED
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MT18HVF6472Y-53EB1 | 功能描述:MODULE DDR2 512MB 240-DIMM VLP RoHS:是 類別:存儲卡，模塊 >> 存儲器 - 模塊 系列:- 標準包裝:100 系列:- 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:1GB 速度:133MHz 特點:- 封裝/外殼:168-DIMM |
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