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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M12L64164A-6BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, VBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 42/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 831K |
| 代理商： | M12L64164A-6BG |
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ES MT
Mode Register Set Cycle
0 1 2 3 4 5 6
M12L64164A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
3.0
Publication Date
:
Mar. 2007
42/45
Auto Refresh Cycle
All banks precharge should be completed before Mode Register Set cycle and auto refresh cycle.
MODE REGISTER SET CYCLE
*Note : 1. CS , RAS , CAS , &
WE
activation at the same clock cycle with address key will set internal
mode register.
2. Minimum 2 clock cycles should be met before new RAS activation.
3. Please refer to Mode Register Set table.
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
:Don't Care
HIGH
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
HIGH
Key
Ra
HI-Z
HI-Z
*Not e 2
* Not e 1
*Not e 3
t
R F C
MR S
New
Command
Auto Refresh
New Command
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L64164A-7BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-5BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-5TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L64164A-6BG2Y | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks |
| M12L64164A-6BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-6TA | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-6TG2Y | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks |
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