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參數(shù)資料
| 型號： | M12L64164A-6BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, VBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 30/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 831K |
| 代理商： | M12L64164A-6BG |
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ES MT
Power Up Sequence
M12L64164A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
3.0
Publication Date
:
Mar. 2007
30/45
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H i g h l e v el i s n e c es s a r y
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| M12L64164A-7BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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| M12L64322A-6BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L64164A-6BG2Y | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks |
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| M12L64164A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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