- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377800 > M12L64164A-6BG (ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC) 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M12L64164A-6BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, VBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 34/45頁 |
| 文件大小： | 831K |
| 代理商： | M12L64164A-6BG |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁當前第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁
ES MT
M12L64164A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
3.0
Publication Date
:
Mar. 2007
34/45
Page Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
*Note : 1. To interrupt burst write by Row precharge , DQM should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt burst write by Row precharge , both the write and the precharge banks must be the same.
0 1 2 3
4 5 6
7
8
9
10
11
12
13
14
15 16 17
18
19
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
A10/AP
A13
A12
: D o n ' t c a r e
*Not e 1
RAa
RBb
CAa
CBb
RD d
C C c
R C c
CD d
* No t e 2
DAa1
DAa0
DBb0 DBb1
DBb3
DDd0DDd1
DAa2
DBb2
DCc0 DCc1
RAa
RBb
R C c
RD d
DAa3
CDd2
t
CD L
R o w A c t i v e
( A - Bank )
R o w A c t i v e
( B - B a n k )
W r i t e
( A - B a n k )
W r i t e
( B - B a n k )
R o w A c t i v e
( C - B a n k )
W r i t e
( C - B a n k )
P r e c h a r g e
( A l l B a n k s )
R o w A c t i v e
( D - B a n k )
W r i t e
( D - B a n k )
HIGH
t
RD L
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L64164A-7BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-5BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-5TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L64164A-6BG2Y | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks |
| M12L64164A-6BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-6TA | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-6TG2Y | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。