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參數(shù)資料
| 型號： | M12L64164A-6BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, VBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 38/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 831K |
| 代理商： | M12L64164A-6BG |
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ES MT
M12L64164A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
3.0
Publication Date
:
Mar. 2007
38/45
Read interrupted by Precharge Command & Read Burst Stop Cycle @ Burst Length = Full page
*Note : 1. About the valid DQs after burst stop, it is same as the case of
RAS
interrupt.
Both cases are illustrated above timing diagram. See the label 1,2 on them.
But at burst write, Burst stop and
RAS
interrupt should be compared carefully.
Refer the timing diagram of “Full page write burst stop cycles”.
2. Burst stop is valid at every burst length.
0 1 2 3
4 5 6
7
8
9
10
11
12
13
14 15 16 17
18
19
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
A10/AP
A13
A12
RAa
CAa
CAb
RAa
QAa0 QAa1
QAb1
QAb0
QAb2
*Not e 1
Row Active
( A-Bank)
Read
(A- Bank)
Burst Stop
Read
(A- Bank)
:Don't Car e
HIGH
CL=2
CL=3
QAa2 QAa3 QAa4
QAb3 QAb4 QAb5
QAa0 QAa1
QAb1
QAb0
QAb2
QAa2 QAa3 QAa4
QAb3 QAb4 QAb5
1
1
2
2
Precharge
( A- Bank)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L64164A-7BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-5BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-5TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L64164A-6BG2Y | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks |
| M12L64164A-6BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-6TA | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-6TG2Y | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks |
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