- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄377800 > M12L64164A-6BG (ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC) 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M12L64164A-6BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, VBGA-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 35/45頁(yè) |
| 文件大小： | 831K |
| 代理商： | M12L64164A-6BG |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)當(dāng)前第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)
ES MT
M12L64164A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
3.0
Publication Date
:
Mar. 2007
35/45
Read & Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
*Note : 1. t
CDL
should be met to complete write.
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
A10/AP
A13
A12
CL =2
CL =3
Row Active
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
: D o n ' t C a r e
QAa1 QAa2 QAa3
Ddb1 DDb2 DDd3
DDb0
QAa0
RAa
CBc
RAa
CAa
QAa1 QAa2 QAa3
Ddb1 DDb2 DDd3
DDb0
QAa0
W rite
(D-Bank)
HIGH
RD b
CD b
RBc
RBb
RAc
QBc0 QBc1 QBc2
QBc0 QBc1
Read
(A-Bank)
Row Active
(D-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
t
C D L
*N ot e 1
1
9
2
10
3
4
5
6
7
8
11
12
13
14
17
15
18
16
19
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L64164A-7BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-5BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-5TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L64164A-6BG2Y | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks |
| M12L64164A-6BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-6TA | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-6TG2Y | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。