參數(shù)資料
型號(hào)： M12L64164A-6BG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA54
封裝： 8 X 8 MM, LEAD FREE, VBGA-54
文件頁(yè)數(shù)： 37/45頁(yè)
文件大?。?/td> 831K
代理商： M12L64164A-6BG
ES MT
M12L64164A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
3.0
Publication Date
:
Mar. 2007
37/45
Clock Suspension & DQM Operation Cycle @ CAS Letency = 2 , Burst Length = 4
*Note : 1. DQM is needed to prevent bus contention
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
A10/AP
A13
A12
Ra
Ca
Cb
C c
Ra
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
t
S H Z
Qb1
Qb0
t
S H Z
Dc0
Dc2
*Not e 1
Row Active
Read
Clock
Supension
Read
Read DQM
W r ite
W rite
DQ M
Clock
Suspension
W rite
DQ M
:Don't Car e
0 1 2 3
4 5 6
7
8
9
10
11
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13
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
M12L64164A-7BG 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
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參數(shù)描述
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