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參數(shù)資料
| 型號： | M12L64164A-6BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, VBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 33/45頁 |
| 文件大小： | 831K |
| 代理商： | M12L64164A-6BG |
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ES MT
M12L64164A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
3.0
Publication Date
:
Mar. 2007
33/45
Page Read Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
Note: 1.
CS
can be don’t cared when
RAS
,
CAS
and
WE
are high at the clock high going edge.
2. To interrupt a burst read by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
R o w A c t i v e
( A - B a n k )
R o w A c t i v e
( B - B a n k )
R e a d
( A - B a n k )
R o w A c t i v e
( C - B a n k )
R e a d
( B - B a n k )
P r e c h a r g e
( A - B a n k )
R o w A c t i v e
( D - B a n k )
R e a d
( C - B a n k )
P r e c h a r g e
( B - B a n k )
R e a d
( D - B a n k )
P r e c h a r g e
( C - B a n k )
P r e c h a r g e
( D - B a n k )
: D o n ' t C a r e
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
CL=2
DQ M
A10/AP
A13
A12
CL=3
R B b
C A a
R C c
C B b
R D d
C C c
C D d
*Not e 1
*Not e 2
R A a
RDd
QBb0
QBb2 QCc0 QCc1 QCc2 QDd0 QDd1
QDd2
QAa1
QAa0
QAa2
QBb1
QAa0 QAa1 QAa2 QBb0
QCc1 QCc2 QDd0
QDd2
QDd1
QBb1
QCc0
QBb2
R A a
R B b
R C c
HIGH
DQ
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L64164A-7BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-5BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-5TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L64164A-6BG2Y | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks |
| M12L64164A-6BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-6TA | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-6TG2Y | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks |
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