參數(shù)資料
型號： K4S641632C
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Advanced LinCMOS(TM) Low-Noise Precision Operational Amplifier 8-SOIC
中文描述： 100萬× 16 × 4銀行同步DRAM
文件頁數(shù)： 41/42頁
文件大?。?/td> 1169K
代理商： K4S641632C
CMOS SDRAM
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
ELECTRONICS
K4S641632C
Mode Register Set Cycle
HIGH
MRS
Auto Refresh
: Don't care
*Note :
1. CS, RAS, CAS, & WE activation at the same clock cycle with address key will set internal mode register.
2. Minimum 2 clock cycles should be met before new RAS activation.
3. Please refer to Mode Register Set table.
New
Command
New Command
Hi-Z
Hi-Z
tRC
HIGH
MODE REGISTER SET CYCLE
* All banks precharge should be completed before Mode Register Set cycle and auto refresh cycle.
Auto Refresh Cycle
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
Key
Ra
*Note 3
*Note 1
*Note 2
～
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4S641632D Advanced LinCMOS(TM) Low-Noise Precision Operational Amplifier 8-SOIC
K4S641633H-C 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S641633H-F1H 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S641633H-F1L 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S641633H-F75 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4S641632C-TC/L10 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
K4S641632C-TC/L1H 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
K4S641632C-TC/L1L 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
K4S641632C-TC/L60 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
K4S641632C-TC/L70 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
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