參數(shù)資料
型號(hào)： K4S641632C
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Advanced LinCMOS(TM) Low-Noise Precision Operational Amplifier 8-SOIC
中文描述： 100萬(wàn)× 16 × 4銀行同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 31/42頁(yè)
文件大?。?/td> 1169K
代理商： K4S641632C
CMOS SDRAM
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
ELECTRONICS
K4S641632C
Page Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Row Active
(D-Bank)
Write
(D-Bank)
: Don't care
*Note :
1. To interrupt burst write by Row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt burst write by Row precharge, both the write and the precharge banks must be the same.
Row Active
(B-Bank)
tRDL
Row Active
(C-Bank)
Precharge
(All Banks)
tCDL
Write
(B-Bank)
Write
(C-Bank)
*Note 1
BA
0
BA
1
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
RAa
RBb
CAa
CBb
RCc
RDd
CCc
CDd
RCc
RDd
RAa
RBb
*Note 2
DAa0
DAa1 DAa2
DAa3
DBb0
DBb1
DBb2 DBb3
DCc0
DCc1
DDd0
DDd1
DDd2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4S641632D Advanced LinCMOS(TM) Low-Noise Precision Operational Amplifier 8-SOIC
K4S641633H-C 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S641633H-F1H 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S641633H-F1L 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S641633H-F75 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
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參數(shù)描述
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