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參數(shù)資料
| 型號： | K4S641632C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Advanced LinCMOS(TM) Low-Noise Precision Operational Amplifier 8-SOIC |
| 中文描述： | 100萬× 16 × 4銀行同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 19/42頁 |
| 文件大小： | 1169K |
| 代理商： | K4S641632C |
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CMOS SDRAM
ELECTRONICS
K4S641632C
*Note :
1. t
RDL
: 1 CLK
2. t
BDL
: 1 CLK ; Last data in to burst stop delay.
Read or write burst stop command is valid at every burst length.
3. Number of valid output data after row precharge or burst stop : 1, 2 for CAS latency= 2, 3 respectiviely.
4. PRE : All banks precharge if necessary.
MRS can be issued only at all banks precharge state.
8. Burst Stop & Interrupted by Precharge
3) Read Interrupted by Precharge (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
PRE
Q
0
Q
1
Q
0
Q
1
1
2
9. MRS
CLK
PRE
1) Mode Register Set
4) Read Burst Stop (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
STOP
Q
0
Q
1
Q
0
Q
1
1
2
MRS
ACT
Note 4
tRP
2CLK
CMD
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQ
WR
PRE
D
3
1) Normal Write (BL=4)
tRDL Note 1
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQ
WR
STOP
D
3
2) Write Burst Stop (BL=8)
DQM
DQM
tBDL Note 2
D
4
D
5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S641632D | Advanced LinCMOS(TM) Low-Noise Precision Operational Amplifier 8-SOIC |
| K4S641633H-C | 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4S641633H-F1H | 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4S641633H-F1L | 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4S641633H-F75 | 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S641632C-TC/L10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| K4S641632C-TC/L1H | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| K4S641632C-TC/L1L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| K4S641632C-TC/L60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| K4S641632C-TC/L70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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