參數(shù)資料
型號： K4S641632C
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Advanced LinCMOS(TM) Low-Noise Precision Operational Amplifier 8-SOIC
中文描述： 100萬× 16 × 4銀行同步DRAM
文件頁數(shù)： 34/42頁
文件大?。?/td> 1169K
代理商： K4S641632C
CMOS SDRAM
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
ELECTRONICS
K4S641632C
Read & Write Cycle with Auto Precharge II @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
: Don't care
*Note :
*¨ Any command to A-bank is not allowed in this period.
tRP is determined from at auto precharge start point
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read with
Auto Precharge
(B-Bank)
BA
0
A
10
/AP
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Qb0
Qb1
Qb2
Qb3
Qb0
Qb1
Qb2
Qb3
Ra
Ca
Ra
Cb
Rb
Rb
*¨
Auto Precharge
Start Point
(B-Bank)
BA
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4S641632D Advanced LinCMOS(TM) Low-Noise Precision Operational Amplifier 8-SOIC
K4S641633H-C 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S641633H-F1H 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S641633H-F1L 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S641633H-F75 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
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參數(shù)描述
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