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參數(shù)資料
| 型號： | K4S160822D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| 中文描述： | 2Mx8 SDRAM的1M × 8位× 2銀行同步DRAM LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 39/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 1183K |
| 代理商： | K4S160822D |
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KM48S2120D
CMOS SDRAM
- 39
Rev.1.0 (Mar. 1999)
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Clock Suspension & DQM Operation Cycle @CAS Latency=2, Burst Length=4
Row Active
Clock
Suspension
Read
Write
DQM
: Don't care
Clock
Suspension
Read
*Note 1
tSHZ
tSHZ
Write
DQM
Write
Read DQM
*Note :
1. DQM is needed to prevent bus contention.
BA
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
Ra
Ca
Cb
Cc
Dc2
Dc0
Qb1
Qb0
Qa3
Qa2
Qa1
Qa0
Ra
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S161622D | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| K4S161622E | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC10 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC55 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC60 | 1M x 16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S160822DT-G/F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/F7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/FH | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/FL | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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