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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4S160822D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| 中文描述： | 2Mx8 SDRAM的1M × 8位× 2銀行同步DRAM LVTTL |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/46頁(yè) |
| 文件大小： | 1183K |
| 代理商： | K4S160822D |
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KM48S2120D
CMOS SDRAM
- 34
Rev.1.0 (Mar. 1999)
0
1
2
3
4
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9
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19
Page Read Cycle at Different Bank @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
: Don't care
*Note :
1. CS can be don't cared when RAS, CAS and WE are high at the clock high going dege.
2. To interrupt a burst read by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
Read
(A-Bank)
*Note 2
*Note 1
Read
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
BA
A
10
/AP
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
RAa
RBb
RAa
RBb
CAa
CBb
CBd
CAc
CAe
QAa0
QAa1
QAa2 QAa3
QBb0 QBb1 QBb2 QBb3
QAc0
QAc1
QBd0
QBd1
QAe0 QAe1
QAa0
QAa1
QAa2 QAa3
QBb0 QBb1 QBb2 QBb3
QAc0
QAc1
QBd0
QBd1
QAe0 QAe1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S161622D | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| K4S161622E | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC10 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC55 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC60 | 1M x 16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S160822DT-G/F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/F7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/FH | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/FL | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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