參數(shù)資料
型號(hào)： K4S160822D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL
中文描述： 2Mx8 SDRAM的1M × 8位× 2銀行同步DRAM LVTTL
文件頁(yè)數(shù)： 21/46頁(yè)
文件大?。?/td> 1183K
代理商： K4S160822D
K4S160822D
CMOS SDRAM
- 21
Rev. 1.0 (Oct. 1999)
(b) CL=3, BL=4
( Continued )
CLK
i) CMD
DQM
DQ
D
1
D
2
RD
D
3
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
D
0
D
1
D
2
D
3
D
0
*Note :
1. To prevent bus contention, DQM should be issued which makes at least one gap between data in and data out.
2. To inhibit invalid write, DQM should be issued.
3. This precharge command and burst write command should be of the same bank, otherwise it is not precharge
interrupt but only the other bank precharge of dual banks operation.
RD
WR
RD
WR
D
1
D
2
D
3
D
0
RD
WR
RD
WR
D
1
D
2
D
3
D
0
Hi-Z
Note 1
ii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iv) CMD
DQM
DQ
Q
0
Hi-Z
5. Write Interrupted by Precharge & DQM
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQM
DQ
Masked by DQM
WR
PRE
D
3
Note 3
Note 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4S161622D 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM
K4S161622E 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC10 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC55 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC60 1M x 16 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4S160822DT-G/F10 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL
K4S160822DT-G/F7 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL
K4S160822DT-G/F8 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL
K4S160822DT-G/FH 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL
K4S160822DT-G/FL 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL
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