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參數(shù)資料
| 型號： | K4S160822D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| 中文描述： | 2Mx8 SDRAM的1M × 8位× 2銀行同步DRAM LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 22/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 1183K |
| 代理商： | K4S160822D |
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K4S160822D
CMOS SDRAM
- 22
Rev. 1.0 (Oct. 1999)
*Note :
1. t
RDL
: Last data in to row precharge delay
2. Number of valid output data after row precharge : 0, 1, 2 for CAS Latency =1, 2, 3 respectively.
3. The row active command of the precharge bank can be issued after t
RP
from this point.
The new read/write command of the other activated bank can be issued from this point.
At burst read/write with auto precharge, CAS interrupt of the same/other bank is illegal.
6. Precharge
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQ
WR
PRE
D
3
1) Normal Write (BL=4)
tRDL
Note 2
2) Normal Read (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
PRE
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
1
2
Note 2
7. Auto Precharge
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQ
WR
D
3
1) Normal Write (BL=4)
Note 3
Auto Precharge Starts
2) Normal Read (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Note 3
Auto Precharge Starts
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S161622D | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| K4S161622E | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC10 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC55 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC60 | 1M x 16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S160822DT-G/F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/F7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/FH | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/FL | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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