- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373065 > K4S160822D (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K4S160822D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| 中文描述： | 2Mx8 SDRAM的1M × 8位× 2銀行同步DRAM LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 30/46頁 |
| 文件大小： | 1183K |
| 代理商： | K4S160822D |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁當前第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁
KM48S2120D
CMOS SDRAM
- 30
Rev.1.0 (Mar. 1999)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
*Note :
1. All inputs expect CKE & DQM can be don
t care when CS is high at the CLK high going edge.
2. Bank active & read/write are controlled by BA.
3. Enable and disable auto precharge function are controlled by A10/AP in read/write command.
BA
0
1
0
1
Operation
Disable auto precharge, leave bank A active at end of burst.
Disable auto precharge, leave bank B active at end of burst.
Enable auto precharge, precharge bank A at end of burst.
Enable auto precharge, precharge bank B at end of burst.
4. A10/AP and BA control bank precharge when precharge command is asserted.
A10/AP
BA
0
1
Active & Read/Write
Bank A
Bank B
BA
0
1
X
Precharge
Bank A
Bank B
Both Banks
A10/AP
0
0
1
0
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S161622D | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| K4S161622E | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC10 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC55 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC60 | 1M x 16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S160822DT-G/F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/F7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/FH | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/FL | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。